VGD的负压比VGS大
发布时间:2018-12-07 19:39

  

  在N区两侧扩散两个P+区,形成两个PN结。两个P+区相连,引出栅极g。N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。

  (1)VGS=0时,N型棒体导电沟道最宽(N型区)。有了VDS后,沟道中的电流最大。

  (2)VGS0时,耗尽层加宽(主要向沟道一测加宽),并向沟道中间延伸,沟道变窄。

  加上负VGS电压和VDS电压以后,VGD的负压比VGS大,所以,二个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄,使沟道形成楔形。

  JFET通过VGS改变半导体内耗尽层厚度(沟道的截面积)控制iD,称为体内场效应器件;MOSFET主要通过改变衬底表层沟道的厚度来控制iD,称为表面场效应器件。

  JFET的伏安特性(以N沟道JFET为例):伏安特性曲线和电流方程与耗尽型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。

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