栅极电流的方向( 由P区指向N区)
发布时间:2018-12-02 15:48

  如图1(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结,即耗尽层。把两个P+区并联在一起,引出一个电极g,称为栅极,在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图1(b)所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(由P区指向N区)。

  rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内,iD几乎不随vDS而变化,因此,rd数值很大,一般为几十千欧~几百千欧。

  Cgs是栅-源极间存在的电容,Cgd是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF,而漏-源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下,极间电容的影响可以忽略,但在高频应用时,极间电容的影响必须考虑。

  指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关,对N沟道而言,vGS的值越大,则V(BR)DS越小。

  指栅-源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值,这时栅极电流由零而急剧上升。

  漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高,为了限制管子的温度,就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。

  除了以上参数外,结型场效应管还有噪声系数,高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小,可达1.5dB以下。

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